ASYMMETRIC+-ION IMPLANTED LEAD-TELLURIDE P-N-JUNCTION PHOTODIODES

被引：7

作者：

DONNELLY, JP ^{[1
]}

HARMAN, TC ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(75)90183-5

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1144 / 1146

页数：3

共 7 条

[1]

Donnelly J. P., 1973, Journal of Nonmetals, V1, P123

DONNELLY, JP ;

LINDLEY, WT ;

FOYT, AG ;

HARMAN, TC .

DONNELLY, JP ;

HARMAN, TC ;

FOYT, AG .

[4] PHOTODIODES FABRICATED IN EPITAXIAL PBTE BY SB+ ION-IMPLANTATION [J].

DONNELLY, JP ;

HOLLOWAY, H .

[5]

DONNELLY JP, AD74402 DDC

[6]

DONNELLY JP, AD7718927 DDC

[7]

STRAUSS AJ, 1973, J ELECTRONIC MATERIA, V4, P553