RANDOM STACKING MODEL APPLIED TO TETRAHEDRALLY BONDED AMORPHOUS-SEMICONDUCTORS - SCATTERING INTENSITY

被引：3

作者：

YONEZAWA, F ^{[1
]}

BIRMAN, JL ^{[1
]}

机构：

[1] CUNY,CITY COLL,DEPT PHYS,NEW YORK,NY 10031

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1977年 / 16卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.16.2707

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：2707 / 2716

页数：10

共 22 条

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