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SEMI-INSULATING PROPERTIES OF FE-DOPED INP
被引:67
作者
:
MIZUNO, O
论文数:
0
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0
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0
机构:
NIPPON ELECT CO LTD,CENT RES LABS,NAKAHARA,KAWASAKI,JAPAN
NIPPON ELECT CO LTD,CENT RES LABS,NAKAHARA,KAWASAKI,JAPAN
MIZUNO, O
[
1
]
WATANABE, H
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机构:
NIPPON ELECT CO LTD,CENT RES LABS,NAKAHARA,KAWASAKI,JAPAN
NIPPON ELECT CO LTD,CENT RES LABS,NAKAHARA,KAWASAKI,JAPAN
WATANABE, H
[
1
]
机构
:
[1]
NIPPON ELECT CO LTD,CENT RES LABS,NAKAHARA,KAWASAKI,JAPAN
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1975年
/ 11卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19750089
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:118 / 119
页数:2
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[1]
THE PREPARATION OF SEMI-INSULATING GALLIUM ARSENIDE BY CHROMIUM DOPING
CRONIN, GR
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HAISTY, RW
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HAISTY, RW
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1964,
111
(07)
: 874
-
877
[2]
INVESTIGATION OF VOLTAGE BREAKDOWN IN SEMI-INSULATING GAAS
HAISTY, RW
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HOYT, PL
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1967,
10
(08)
: 795
-
&
[3]
MULLIN JB, 1970, 3RD P INT S GALL ARS, P41
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[1]
THE PREPARATION OF SEMI-INSULATING GALLIUM ARSENIDE BY CHROMIUM DOPING
CRONIN, GR
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CRONIN, GR
HAISTY, RW
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HAISTY, RW
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1964,
111
(07)
: 874
-
877
[2]
INVESTIGATION OF VOLTAGE BREAKDOWN IN SEMI-INSULATING GAAS
HAISTY, RW
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HAISTY, RW
HOYT, PL
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HOYT, PL
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1967,
10
(08)
: 795
-
&
[3]
MULLIN JB, 1970, 3RD P INT S GALL ARS, P41
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