RESISTIVITY DEPENDENCE OF THE MINORITY-CARRIER DIFFUSION LENGTH IN IN SINGLE-CRYSTALS OF CU2O

被引：11

作者：

DIMITRIADIS, CA

PAPADIMITRIOU, L

ECONOMOU, NA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1007/BF00720404

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：691 / 693

页数：3

共 7 条

LENDER, RJ ;

TIWARI, S ;

BORREGO, JM ;

GHANDHI, SK .

[2]

MCQUAT RF, 1975, 11TH P IEEE PHOT SPE, P371

[3]

Noguet C, 1977, 1ST EUR COMM PHOT C, P1170

[4]

PASTRNYAK I, 1959, SOV PHYS-SOL STATE, V1, P888

[5] MINORITY CARRIER DIFFUSION LENGTH IN LIQUID EPITAXIAL GAP [J].

SMITH, BL ;

ABBOTT, M .

[6] PREPARATION OF LARGE AREA SINGLE-CRYSTAL CUPROUS OXIDE [J].

TOTH, RS ;

KILKSON, R ;

TRIVICH, D .

[7]

Trivich D., 1978, Thirteenth IEEE Photovoltaic Specialists Conference1978, P174