FAST AND NONDESTRUCTIVE METHOD OF C(V) PROFILING OF THIN SEMICONDUCTOR LAYERS ON AN INSULATING SUBSTRATE

被引：13

作者：

BINET, M

机构：

[1] LAB ELECTR,3 AVE DESCARTES,94450 LIMEIL BREVANNES,FRANCE

[2] LAB PHYS APPL,94450 LIMEIL BREVANNES,FRANCE

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1975年 / 11卷 / 24期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19750444

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：580 / 581

页数：2

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