HIGHLY PHOTOCONDUCTIVE AMORPHOUS-SILICON PRODUCED BY THERMAL CVD METHOD USING INTERMEDIATE SPECIES SIF2

被引：5

作者：

MATSUMURA, H

IHARA, H

TACHIBANA, H

TANAKA, H

机构：

[1] Hiroshima Univ, Dep of Physical, Electronics, Higashi-Hiroshima, Jpn, Hiroshima Univ, Dep of Physical Electronics, Higashi-Hiroshima, Jpn

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(85)90779-3

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

SEMICONDUCTING SILICON

引用

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页数：4