CHARGE-COUPLED RAM CELL CONCEPT

被引：4

作者：

TASCH, AF ^{[1
]}

FRYE, RC ^{[1
]}

FU, HS ^{[1
]}

机构：

[1] TEXAS INSTR INC,TECH STAFF,DALLAS,TX 75222

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1976.18362

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：126 / 131

页数：6

共 7 条

[1]

DENNARD RH, 1968, Patent No. 3387386

[2] SURFACE-CHARGE RANDOM-ACCESS MEMORY SYSTEM [J].

ENGELER, WE ;

TIEMANN, JJ ;

BAERTSCH, RD .

[3]

HELLER LG, 1975, ISSCC DIG TECH P FEB, P112

[4]

KRUSCHKE G, 1975, DIGITAL DESIGN JUN, P32

[5]

MACDOUGALL JD, 1971, SOLID STATE TECHNOL, V14, P46

SWANSON, RM ;

MEINDL, JD .

[7]

YU HN, 1975, 13TH S EL ION PHOT B