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ELECTRICAL-PROPERTIES OF GLASSES IN THE GE-BI-SB-SE AND GE-BI-S SYSTEMS
被引:164
作者
:
NAGELS, P
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机构:
INST PHYS, CS-18040 PRAGUE, CZECHOSLOVAKIA
NAGELS, P
TICHY, L
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INST PHYS, CS-18040 PRAGUE, CZECHOSLOVAKIA
TICHY, L
TRISKA, A
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INST PHYS, CS-18040 PRAGUE, CZECHOSLOVAKIA
TRISKA, A
TICHA, H
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机构:
INST PHYS, CS-18040 PRAGUE, CZECHOSLOVAKIA
TICHA, H
机构
:
[1]
INST PHYS, CS-18040 PRAGUE, CZECHOSLOVAKIA
[2]
UNIV CHEM TECHNOL, CS-53210 PARDUBICE, CZECHOSLOVAKIA
来源
:
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS
|
1983年
/ 59-6卷
/ DEC期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0022-3093(83)90339-3
中图分类号
:
TQ174 [陶瓷工业];
TB3 [工程材料学];
学科分类号
:
0805 ;
080502 ;
摘要
:
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相关论文
共 2 条
[1]
DOPING OF CHALCOGENIDE GLASSES IN THE GE-SE AND GE-TE SYSTEMS
NAGELS, P
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机构:
RYAZAN RADIO ENGN INST,RYAZAN,USSR
RYAZAN RADIO ENGN INST,RYAZAN,USSR
NAGELS, P
ROTTI, M
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RYAZAN RADIO ENGN INST,RYAZAN,USSR
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ROTTI, M
VIKHROV, S
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机构:
RYAZAN RADIO ENGN INST,RYAZAN,USSR
RYAZAN RADIO ENGN INST,RYAZAN,USSR
VIKHROV, S
[J].
JOURNAL DE PHYSIQUE,
1981,
42
(NC4):
: 907
-
910
[2]
ELECTRICAL AND OPTICAL-PROPERTIES OF N-TYPE SEMICONDUCTING CHALCOGENIDE GLASSES IN THE SYSTEM GE-BI-SE
TOHGE, N
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TOHGE, N
MINAMI, T
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YAMAMOTO, Y
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YAMAMOTO, Y
TANAKA, M
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TANAKA, M
[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1980,
51
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: 1048
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[1]
DOPING OF CHALCOGENIDE GLASSES IN THE GE-SE AND GE-TE SYSTEMS
NAGELS, P
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机构:
RYAZAN RADIO ENGN INST,RYAZAN,USSR
RYAZAN RADIO ENGN INST,RYAZAN,USSR
NAGELS, P
ROTTI, M
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RYAZAN RADIO ENGN INST,RYAZAN,USSR
RYAZAN RADIO ENGN INST,RYAZAN,USSR
ROTTI, M
VIKHROV, S
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机构:
RYAZAN RADIO ENGN INST,RYAZAN,USSR
RYAZAN RADIO ENGN INST,RYAZAN,USSR
VIKHROV, S
[J].
JOURNAL DE PHYSIQUE,
1981,
42
(NC4):
: 907
-
910
[2]
ELECTRICAL AND OPTICAL-PROPERTIES OF N-TYPE SEMICONDUCTING CHALCOGENIDE GLASSES IN THE SYSTEM GE-BI-SE
TOHGE, N
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TOHGE, N
MINAMI, T
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MINAMI, T
YAMAMOTO, Y
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YAMAMOTO, Y
TANAKA, M
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TANAKA, M
[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1980,
51
(02)
: 1048
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