RADIATION HARDNESS OF A SILICON MESFET 4K X 1 SRAM

被引：7

作者：

HOUSTON, TW ^{[1
]}

HITE, LR ^{[1
]}

DARLEY, HM ^{[1
]}

SHEDD, WM ^{[1
]}

ZUGICH, MH ^{[1
]}

LAPIERRE, DC ^{[1
]}

机构：

[1] USAF,RADC,ESR,BEDFORD,MA 01731

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1984.4333534

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1483 / 1486

页数：4