TOTAL DOSE RADIATION EFFECTS ON SILICON MESFET CIRCUITS

被引：1

作者：

DARLEY, HM

HOUSTON, TW

HITE, LR

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1983年 / 30卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1983.4333122

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：4277 / 4281

页数：5

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共 3 条

[1]

Darley H. M., 1980, International Electron Devices Meeting. Technical Digest, P34

[2]

DARLEY HM, 1978, IEDM TECH DIGEST, P80

[3] RADIATION EFFECTS ON SILICON MESFET DEVICES AND CIRCUITS [J].

SHEDD, WM ;

KIM, Y ;

DARLEY, HM ;

HOUSTON, IW .

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 1981, 28 (06) :4376-4379