GROWTH OF DISLOCATION-FREE GAAS CRYSTALS BY NITROGEN DOPING

被引：16

作者：

JACOB, G

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(82)90394-3

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：669 / 671

页数：3

相关论文

共 5 条

[1] ETCHING OF DISLOCATIONS ON LOW-INDEX FACES OF GAAS
ABRAHAMS, MS
BUIOCCHI, CJ
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1965, 36 (09) : 2855 - &
[2] DUSEAUX M, UNPUB APPL PHYS LETT
[3] JACOB G, 1982, J CRYST GROWTH, V57, P493
[4] IMPURITY EFFECT ON GROWN-IN DISLOCATION DENSITY OF INP AND GAAS CRYSTALS
SEKI, Y
WATANABE, H
MATSUI, J
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1978, 49 (02) : 822 - 828
[5] SUZUKI T, 1978, SUMITOMO ELEC TECH R, V18, P105