OPTIMUM FLASH LAMP ANNEALING CONDITIONS FOR FABRICATION OF LOW-DOSE ION-IMPLANTED SI SOLAR-CELLS

被引：6

作者：

USAMI, A

NISHIOKA, H

INOUE, Y

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1984.25881

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：186 / 187

页数：2

共 8 条

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