DEVELOPMENT OF ADVANCED CMOS-COMPATIBLE BIPOLAR-TRANSISTOR FOR BICMOS TECHNOLOGY

被引:13
作者
NOUAILHAT, A
GIROULT, G
DELPECH, P
GERODOLLE, A
机构
[1] CNET, France
关键词
D O I
10.1049/el:19881078
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
5
引用
收藏
页码:1581 / 1583
页数:3
相关论文
共 5 条
[1]  
ALVAREZ AR, 1987 P INT S VLSI TE
[2]  
CHIU TY, 1987, IEDM, P24
[3]  
GERODOLLE A, 1988, ESSDERC 88
[4]  
MURARKA SP, 1987, J VAC SCI TECHNOL B, V5, P1675
[5]   ANALYSIS OF POLYSILICON DIFFUSION SOURCES [J].
PROBST, V ;
BOHM, HJ ;
SCHABER, H ;
OPPOLZER, H ;
WEITZEL, I .
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1988, 135 (03) :671-676