RELATION BETWEEN GROWTH-CONDITIONS AND DEEP LEVELS IN GAAS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：9

作者：

XU, HD ^{[1
]}

ANDERSSON, TG ^{[1
]}

WESTIN, JM ^{[1
]}

机构：

[1] CHALMERS UNIV TECHNOL,DEPT PHYS,S-41296 GOTHENBURG,SWEDEN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.339509

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2136 / 2137

页数：2

共 4 条

[1]

AKIMOTO K, 1983, APPL PHYS LETT, V43, P1062, DOI 10.1063/1.94236

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