HALL-EFFECT, ANISOTROPY, AND TEMPERATURE-DEPENDENCE MEASUREMENTS OF 1/F NOISE IN SILICON ON SAPPHIRE

被引:40
作者
BLACK, RD [1 ]
RESTLE, PJ [1 ]
WEISSMAN, MB [1 ]
机构
[1] UNIV ILLINOIS,DEPT PHYS,URBANA,IL 61801
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1983年 / 28卷 / 04期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.28.1935
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
收藏
页码:1935 / 1943
页数:9
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