DIFFUSION CURRENT IN HEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS

被引：13

作者：

BACCARANI, G

MAZZONE, AM

机构：

[1] UNIV BOLOGNA,IST ELETTR,BOLOGNA,ITALY

[2] CNR,LAMEL,VIA CASTAGNOLI 1,BOLOGNA,ITALY

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1975年 / 18卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(75)90050-7

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：469 / 470

页数：2

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共 3 条

[1]

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