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PHOSPHORUS OUT DIFFUSION FROM DOUBLE-LAYERED TANTALUM SILICIDE POLYCRYSTALLINE SILICON STRUCTURE
被引:22
作者
:
MAA, JS
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0
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0
MAA, JS
MAGEE, CW
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MAGEE, CW
ONEILL, JJ
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ONEILL, JJ
机构
:
来源
:
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
|
1983年
/ 1卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1116/1.582535
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
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相关论文
共 3 条
[1]
DEPTH PROFILING OF N-TYPE DOPANTS IN SI AND GAAS USING CS+ BOMBARDMENT NEGATIVE SECONDARY ION MASS-SPECTROMETRY IN ULTRAHIGH-VACUUM
MAGEE, CW
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
RCA Laboratories, Princeton
MAGEE, CW
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1979,
126
(04)
: 660
-
663
[2]
REFRACTORY SILICIDES FOR INTEGRATED-CIRCUITS
MURARKA, SP
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
MURARKA, SP
[J].
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY,
1980,
17
(04):
: 775
-
792
[3]
Tu K. N., 1978, Thin films. Interdiffusion and reactions, P359
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共 3 条
[1]
DEPTH PROFILING OF N-TYPE DOPANTS IN SI AND GAAS USING CS+ BOMBARDMENT NEGATIVE SECONDARY ION MASS-SPECTROMETRY IN ULTRAHIGH-VACUUM
MAGEE, CW
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
RCA Laboratories, Princeton
MAGEE, CW
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1979,
126
(04)
: 660
-
663
[2]
REFRACTORY SILICIDES FOR INTEGRATED-CIRCUITS
MURARKA, SP
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
MURARKA, SP
[J].
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY,
1980,
17
(04):
: 775
-
792
[3]
Tu K. N., 1978, Thin films. Interdiffusion and reactions, P359
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