SEMICONDUCTOR COUNTERS .2. EXPERIMENT

被引:6
作者
GIBBONS, PE
NORTHROP, DC
机构
来源
PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON | 1962年 / 80卷 / 513期
关键词
D O I
10.1088/0370-1328/80/1/332
中图分类号
O4 [物理学];
学科分类号
0702 ;
摘要
引用
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页码:276 / &
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PHYSICAL REVIEW, 1959, 116 (02) :300-301
[3]  
NORTHROP DC, 1962, P PHYS SOC, V79, P262
[4]   HOT ELECTRONS IN GERMANIUM AND OHMS LAW [J].
SHOCKLEY, W .
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1951, 30 (04) :990-1034