PLANAR CHANNELING EFFECTS IN SI(100)

被引：31

作者：

CURRENT, MI

TURNER, NL

SMITH, TC

CRANE, D

机构：

[1] VARIAN ASSOCIATES,DIV EXTR,GLOUCESTER,MA

[2] TRILOGY SYST CORP,CUPERTINO,CA

[3] MOTOROLA INC,MOS GRP,MESA,AZ

[4] SPERRY CORP,EAGAN,MN

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS | 1985年 / 6卷 / 1-2期

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(85)90655-X

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

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页码：336 / 348

页数：13

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共 33 条

[31]

WILSON RG, 1978, NBS40049 SPEC PUBL

[32]

WILSON RG, 1981, NBSGCR81325 REP

[33]

WILSON RG, 1977, SEMICONDUCTOR SILICO, P1023

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