SUBMICROMETER SELF-ALIGNED GAAS MESFET

被引：15

作者：

BAUDET, P ^{[1
]}

BINET, M ^{[1
]}

BOCCONGIBOD, D ^{[1
]}

机构：

[1] LABS ELECTR & APPL PHYS,LIMEIL BREVANNES,FRANCE

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES | 1976年 / 24卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TMTT.1976.1128857

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：372 / 376

页数：5

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共 5 条

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