DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY STUDIES OF EPITAXIAL SILICON LAYERS ON SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATES FORMED BY OXYGEN IMPLANTATION

被引：13

作者：

MCLARTY, PK ^{[1
]}

COLE, JW ^{[1
]}

GALLOWAY, KF ^{[1
]}

IOANNOU, DE ^{[1
]}

BERNACKI, SE ^{[1
]}

机构：

[1] RAYTHEON CO,SUDBURY,MA 01776

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.98745

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1078 / 1079

页数：2

共 4 条

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