学术探索
学术期刊
新闻热点
数据分析
智能评审
立即登录
MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH ON RADIATION-HEATED SUBSTRATES
被引:9
作者
:
PALMATEER, SC
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
PALMATEER, SC
LEE, BR
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
LEE, BR
HWANG, JCM
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
HWANG, JCM
机构
:
来源
:
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
|
1984年
/ 131卷
/ 12期
关键词
:
D O I
:
10.1149/1.2115464
中图分类号
:
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
:
081704 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:3028 / 3029
页数:2
相关论文
共 1 条
[1]
SELF-COMPENSATION OF DONORS IN HIGH-PURITY GAAS
WOLFE, CM
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
WASHINGTON UNIV,LAB APPL ELECTR SCI,ST LOUIS,MO 63130
WOLFE, CM
STILLMAN, GE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
WASHINGTON UNIV,LAB APPL ELECTR SCI,ST LOUIS,MO 63130
STILLMAN, GE
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1975,
27
(10)
: 564
-
567
←
1
→
共 1 条
[1]
SELF-COMPENSATION OF DONORS IN HIGH-PURITY GAAS
WOLFE, CM
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
WASHINGTON UNIV,LAB APPL ELECTR SCI,ST LOUIS,MO 63130
WOLFE, CM
STILLMAN, GE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
WASHINGTON UNIV,LAB APPL ELECTR SCI,ST LOUIS,MO 63130
STILLMAN, GE
[J].
APPLIED PHYSICS LETTERS,
1975,
27
(10)
: 564
-
567
←
1
→