ENCAPSULANT-FREE ANNEALING OF ION-IMPLANTED GAP

被引：4

作者：

MYERS, DR

BIEFELD, RM

ZIPPERIAN, TE

DAWSON, LR

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19820220

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：323 / 324

页数：2

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共 5 条

[1]

BIEFELD RM, UNPUB J CRYSTAL GROW

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