A CHEMICAL POLISH METHOD FOR PREPARATION OF SILICON SUBSTRATES FOR EPITAXIAL DEPOSITION

被引：2

作者：

FAIRHURST, KM

RICH, GJ

机构：

来源：

MICROELECTRONICS RELIABILITY | 1966年 / 5卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0026-2714(66)90005-9

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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共 4 条

[1] EPITAXIAL GROWTH OF SILICON BY HYDROGEN REDUCTION OF SIHCL3 ONTO SILICON SUBSTRATES
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