IMPROVEMENT OF INP MISFET CHARACTERISTICS USING INFRARED LAMP ANNEALING

被引：15

作者：

HIROTA, Y

OKAMURA, M

HISAKI, T

MIKAMI, O

机构：

[1] NTT, Musashino Electrical, Communication Lab, Musashino, Jpn, NTT, Musashino Electrical Communication Lab, Musashino, Jpn

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850486

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：686 / 688

页数：3

共 5 条

[1]

CHOUDHURY ANMM, 1983, APPL PHYS LETT, V43, P381, DOI 10.1063/1.94351

[2]

DAVIES DE, 1981, J CRYST GROWTH, V54, P150, DOI 10.1016/0022-0248(81)90261-X

HIRAYAMA, Y ;

KOSHIGA, F ;

SUGANO, T .

[4] HIGH MOBILITY INSULATED GATE TRANSISTORS ON INP [J].

TAYLOR, MJ ;

LILE, DL ;

NEDOLUHA, AK .

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 1984, 2 (03) :522-526

[5]

YAMAGUCHI E, 1984, J APPL PHYS, V56, P1722, DOI 10.1063/1.334163