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K-BAND FET AMPLIFIERS
被引:2
作者
:
NOWAK, MM
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机构:
VARIAN ASSOC,PALO ALTO,CA 94303
VARIAN ASSOC,PALO ALTO,CA 94303
NOWAK, MM
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]
TERZIAN, PA
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FAIRMAN, RD
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VARIAN ASSOC,PALO ALTO,CA 94303
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FAIRMAN, RD
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]
机构
:
[1]
VARIAN ASSOC,PALO ALTO,CA 94303
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1977年
/ 13卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19770113
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:159 / 160
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FAIRMAN, RD
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FAIRCHILD RES & DEV LAB,PALO ALTO,CA 94306
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FAIRMAN, RD
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SOLOMON, R
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FAIRCHILD RES & DEV LAB,PALO ALTO,CA 94306
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SOLOMON, R
.
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1973,
120
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:541
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ELECTRONICS LETTERS,
1975,
11
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SUBMICRON EPITAXIAL FILMS FOR GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTORS
[J].
FAIRMAN, RD
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;
SOLOMON, R
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