EFFECT OF FLAT-BAND VOLTAGE SHIFT AND NONVOLATILE MEMORY IN PLATINUM-DIFFUSED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES

被引：5

作者：

KATO, H

MORI, S

KUWANO, H

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.334043

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1160 / 1164

页数：5

共 6 条

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