THEORY OF NOISE IN CHARGE-TRANSFER DEVICES

被引：24

作者：

THORNBER, KK ^{[1
]}

机构：

[1] BELL TEL LABS INC, MURRAY HILL, NJ 07974 USA

来源：

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL | 1974年 / 53卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1002/j.1538-7305.1974.tb02790.x

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1211 / 1262

页数：52

共 30 条

[1]

ABRAMOWITZ M, 1965, HDB MATHEMATICAL FUN

[2]

BERGLUND CN, 1973, AT&T TECH J, V52, P147

[3]

BERGLUND CN, 1971, IEEE J SOLID-ST CIRC, VSC6, P391

[4]

BERGLUND CN, 1973, IEEE J SOLID-ST CIRC, VSC8, P108

[5]

BOONSTRA L, 1972, 1972 IEEE SOL STAT C, V15, P140

[6]

BOYLE WS, 1970, AT&T TECH J, V49, P587

[7]

CARNES JE, 1972, RCA REV, V33, P327

[8]

Feller W., 1957, INTRO PROBABILITY TH

[9]

Feller W., 1968, INTRO PROBABILITY TH, V3rd

[10] LOW FREQUENCY NOISE IN MOS FIELD EFFECT TRANSISTORS [J].

FLINN, I ;

BEW, G ;

BERZ, F .