共 11 条
- [11] EXPERIMENTAL COMPARISON OF A GERMANIUM AVALANCHE PHOTO-DIODE AND INGAAS PINFET RECEIVER FOR LONGER WAVELENGTH OPTICAL COMMUNICATION-SYSTEMS[J]. ELECTRONICS LETTERS, 1982, 18 (11) : 453 - 454SMITH, DRHOOPER, RCSMYTH, PPWAKE, D
A SELF-ALIGNED IN0.53GA0.47AS JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
被引：23
作者：
WAKE, D
LIVINGSTONE, AW
ANDREWS, DA
DAVIES, GJ
机构：
关键词：
D O I：
10.1109/EDL.1984.25919
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：285 / 287
页数：3
相关论文