MESFET FABRICATION AND HALL-MOBILITY MEASUREMENTS IN LPE-GROWN INXGA1-XP LAYERS LATTICE-MATCHED TO GAAS

被引：1

作者：

JOHNSON, RH ^{[1
]}

WEICHOLD, MH ^{[1
]}

机构：

[1] TEXAS A&M UNIV,INST SOLID STATE ELECTR,DEPT ELECT ENGN,COLLEGE STN,TX 77843

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(86)90185-1

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：825 / 828

页数：4

共 16 条

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