ELECTRODE PARASITIC CAPACITANCES IN SELF-ALIGNED AND DEEP-RECESSED GAAS-MESFETS

被引：5

作者：

GOEL, AK

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(88)90017-2

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1471 / 1476

页数：6

共 13 条

[1]

ALEXOPOULOS NG, 1980, IEEE T MICROW THEORY, V28, P459, DOI 10.1109/TMTT.1980.1130101

[2] SIMPLE ANALYSIS OF THICK MICROSTRIP ON ANISOTROPIC SUBSTRATES [J].

ALEXOPOULOS, NG ;

UZUNOGLU, NK .

[3]

CHEN TH, 1985, IEEE T ELECTRON DEV, V12, P883

[4]

CHENG DK, 1983, FIELD WAVE ELECTROMA, P141

[5]

COTRELL PE, 1982, IEDM, P548

FARRAR, A ;

ADAMS, AT .

[7] SEMICONDUCTOR-DEVICE SIMULATION [J].

FICHTNER, W ;

ROSE, DJ ;

BANK, RE .

[8]

Harrington R. F., 1968, FIELD COMPUTATION MO

[9]

KRAUS JD, 1984, ELECTROMAGNETICS, P543

[10] MICROWAVE FIELD-EFFECT TRANSISTORS 1976 [J].

LIECHTI, CA .