PLASMA-ETCHING METHODS FOR THE FORMATION OF PLANARIZED TUNGSTEN PLUGS USED IN MULTILEVEL VLSI METALLIZATIONS

被引：14

作者：

SAIA, RJ

GOROWITZ, B

WOODRUFF, D

BROWN, DM

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2095840

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：936 / 940

页数：5

共 7 条

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