IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY AND ELECTRICAL-PROPERTIES OF PB1-X-YGEXSNYTE DOPED WITH INDIUM

被引：5

作者：

LEBEDEV, AI

ABDULLIN, KA

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1985年 / 91卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210910129

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：225 / 234

页数：10

共 36 条

[1]

ABDULLIN KA, 1984, ZH EKSPER TEOR FIZ P, V39, P272

[2] ELECTRONIC-STRUCTURE OF AMORPHOUS-SEMICONDUCTORS [J].

ADLER, D ;

YOFFA, EJ .

[3]

Akimov B A, 1979, FIZ TEKH POLUPROV, V13, P752

[4]

AKIMOV BA, 1981, FIZ TEKH POLUPROV, V15, P2232

[5]

AKIMOV BA, 1980, ZH TEKH FIZ PISMA, V20, P1269

[6]

ANDREEV YV, 1975, FIZ TEKH POLUPROV, V9, P1873

[7]

Averkin A. A., 1971, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, V5, P91

[8]

BOCHAROVA TV, 1982, FIZ TEKH POLUPROV, V16, P1462

[9]

DRABKIN IA, 1979, FIZ TEKH POLUPROV, V13, P2064

[10]

DRABKIN IA, 1973, FIZ TEKH POLUPROV, V7, P794