IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY AND ELECTRICAL-PROPERTIES OF PB1-X-YGEXSNYTE DOPED WITH INDIUM

被引：5

作者：

LEBEDEV, AI

ABDULLIN, KA

机构：

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1985年 / 91卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210910129

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：225 / 234

页数：10

相关论文

共 36 条

[31]

VOLKOV BA, 1980, DOKL AKAD NAUK SSSR+, V255, P93

[32]

VUL BM, 1982, FTP, V16, P1452

[33]

VUL BM, 1979, PISMA ESKP TEOR FIZ, V29, P21

[34] FORMATION OF NEGATIVE-U CENTERS IN IONIC-CRYSTALS [J].

WEISER, K .

PHYSICAL REVIEW B, 1982, 25 (02) :1408-1410

[35] ELECTRICAL-PROPERTIES OF INDIUM-DOPED LEAD TIN TELLURIDE [J].

WEISER, K ;

KLEIN, A ;

AINHORN, M .

[36]

ZASAVITSKII II, 1983, ZH EKSPER TEOR FIZ P, V37, P456