A THERMODYNAMICAL MODEL OF MOLECULAR-BEAM EPITAXY, APPLICATION TO THE GROWTH OF II VI SEMICONDUCTORS

被引：21

作者：

GAILLIARD, JP

机构：

来源：

REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE | 1987年 / 22卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1051/rphysap:01987002206045700

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：457 / 463

页数：7

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