A COMPARISON OF SILICON-WAFER ETCHING BY KOH AND ACID-SOLUTIONS

被引：11

作者：

DYER, LD

GRANT, GJ

TIPTON, CM

STEPHENS, AE

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2096394

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：3016 / 3018

页数：3

共 14 条

[1]

DYER LD, 1986, ASTM STP, V960, P297

[2]

DYER LD, 1986, ELECTROCHEMICAL SOC, V861, P329

[3]

EFIMOV EA, 1963, ELECTROCHEMISTRY GER, P157

[4]

HOLMES PJ, 1962, ELECTROCHEMISTRY SEM, P371

[5] ETCHING VERY NARROW GROOVES IN SILICON [J].

KENDALL, DL .

LARRABEE, GB .

[7]

LARRABEE GB, 1982, COMMUNICATION

[8]

LARRABEE GB, 1960, OCT EL SOC M HOUST

[9]

PRICE JB, 1973, ELECTROCHEMICAL SOC, P339

[10] CHEMICAL ETCHING OF SILICON .4. ETCHING TECHNOLOGY [J].

SCHWARTZ, B ;

ROBBINS, H .