THERMOELECTRIC-POWER OF EXTRINSIC MOTT SEMICONDUCTOR

被引：14

作者：

BARI, RA ^{[1
]}

机构：

[1] SUNY, DEPT PHYS, STONY BROOK, NY 11790 USA

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1974年 / 10卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.10.1560

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：1560 / 1563

页数：4

共 7 条

[1]

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