REMOVAL OF THIN-FILMS OF P AND B IMPLANTED SILICON USING ANODIC-OXIDATION

被引：15

作者：

MENDE, G ^{[1
]}

KUSTER, G ^{[1
]}

机构：

[1] ZENT INST KERN FORSCH,ROSSENDORF,DEUTSCH DEM REP

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(76)90258-3

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：215 / 220

页数：6

共 9 条

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