ION IMPLANT ROUND ROBIN

被引：4

作者：

CURRENT, MI

KEENAN, WA

机构：

[1] TRILOGY SYST CORP,CUPERTINO,CA 95014

[2] IBM CORP,DIV GEN TECHNOL,BURLINGTON,VT 05452

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS | 1985年 / 6卷 / 1-2期

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(85)90667-6

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

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页码：418 / 426

页数：9

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共 5 条

[1]

CURRENT MI, 1983, ION IMPLANTATION SCI, P487

[2] POST-IMPLANT METHODS FOR CHARACTERIZING THE DOPING UNIFORMITY AND DOSE ACCURACY OF ION-IMPLANTATION EQUIPMENT [J].

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