STUDY OF SOME OPTICAL AND ELECTRICAL-PROPERTIES OF HEAVILY DOPED SILICON LAYERS

被引：7

作者：

SLAOUI, A

FOGARASSY, E

MULLER, JC

SIFFERT, P

机构：

来源：

JOURNAL DE PHYSIQUE | 1983年 / 44卷 / NC-5期

关键词：

D O I：

10.1051/jphyscol:1983509

中图分类号：

学科分类号：

摘要：

引用

页码：65 / 71

页数：7

共 20 条

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