ELECTRICAL AND OPTICAL-PROPERTIES OF IN2O3-N-SI PHOTODIODES

被引：21

作者：

NAGATOMO, T ^{[1
]}

OMOTO, O ^{[1
]}

机构：

[1] SHIBAURA INST TECHNOL,DEPT ELECTR,TOKYO,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1976年 / 15卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.15.199

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：199 / 200

页数：2

相关论文

共 3 条

[1] SNO2-SEMI-CONDUCTOR HETEROJUNCTION - ELECTRICAL PROPERTIES OF A PARTICULAR MOS STRUCTURE
FILLARD, JP
MANIFACIER, JC
[J]. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1970, 9 (08) : 1012 - +
[2] ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF SNO2-SI HETEROJUNCTIONS
KAJIYAMA, K
FURUKAWA, Y
[J]. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1967, 6 (07) : 905 - &
[3] ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF SI-SNO2 HETEROJUNCTIONS
NISHINO, T
HAMAKAWA, Y
[J]. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1970, 9 (09) : 1085 - &