FABRICATION OF N+ LEDGE CHANNEL STRUCTURE FOR GAAS-FETS WITH A SINGLE LITHOGRAPHY STEP

被引：4

作者：

MACKSEY, HM

HUDGENS, RD

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1985年 / 21卷 / 21期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850675

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：955 / 957

页数：3

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共 3 条

[1]

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