RAPID THERMAL-OXIDATION OF SILICON

被引：14

作者：

ANG, ST ^{[1
]}

WORTMAN, JJ ^{[1
]}

机构：

[1] N CAROLINA STATE UNIV,RALEIGH,NC 27695

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2108408

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：2361 / 2362

页数：2

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共 6 条

[1] GENERAL RELATIONSHIP FOR THERMAL OXIDATION OF SILICON
DEAL, BE
GROVE, AS
[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1965, 36 (12) : 3770 - &
[2] DEAL BE, LECTURE NOTES CEI
[3] IRENE EA, 1978, J ELCHEM SO, V125, P1149
[4] NARAYAN J, 1983, 41ST DEV RES C BURL
[5] RAPID THERMAL-PROCESSING OF THIN GATE DIELECTRICS - OXIDATION OF SILICON
NULMAN, J
KRUSIUS, JP
GAT, A
[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 1985, 6 (05) : 205 - 207
[6] SHAFER SA, 1982, J VAC SCI TECHNOL, V21, P422