AUGER-ELECTRON SPECTROSCOPY EVALUATION OF VOIDS IN ALUMINUM-1-PERCENT SILICON INTEGRATED-CIRCUIT METALLIZATION

被引:6
作者
GASSER, RA
JOHNSON, SG
机构
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1986年 / 4卷 / 03期
关键词
D O I
10.1116/1.583561
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:758 / 761
页数:4
相关论文
共 10 条