OCCURENCE OF HIGH RESISTANCE LAYER AT VAPOR EPITAXIAL GAAS FILM-SUBSTRATE INTERFACE

被引：43

作者：

HASEGAWA, F

SAITO, T

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1968年 / 7卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.7.1125

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1125 / &

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