REFRACTIVE-INDEX OF BETA-GA2O3

被引：23

作者：

MATSUMOTO, T

AOKI, M

KINOSHITA, A

AONO, T

机构：

[1] UNIV TOKYO, FAC ENGN, DEPT ELECTR ENGN, BUNKYO, TOKYO, JAPAN

[2] TOKYO ELECT ENGN COLL, DEPT APPL SCI, CHIYODA, TOKYO, JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1974年 / 13卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.13.737

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：737 / 738

页数：2

相关论文

共 3 条

[1] Measurement on gallium- and indium-compounds X Gallium and Indium chalcogenides [J].

Klemm, W ;

von Vogel, HU .

ZEITSCHRIFT FUR ANORGANISCHE UND ALLGEMEINE CHEMIE, 1934, 219 (01) :45-64

[2] ELECTRICAL PROPERTIES OF A NATIVE OXIDE ON GALLIUM-PHOSPHIDE [J].

SPITZER, SM ;

SCHWARTZ, B ;

KUHN, M .

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1973, 120 (05) :669-672

[3]

WYCKOFF RWG, 1964, CRYSTAL STRUCTURE, V2