CHARACTERIZATION OF ION-IMPLANTED AND LASER ANNEALED POLYCRYSTALLINE SI BY A RAMAN MICRO-PROBE

被引：18

作者：

NAKASHIMA, S ^{[1
]}

INOUE, Y ^{[1
]}

MIYAUCHI, M ^{[1
]}

MITSUISHI, A ^{[1
]}

NISHIMURA, T ^{[1
]}

FUKUMOTO, T ^{[1
]}

AKASAKA, Y ^{[1
]}

机构：

[1] MITSUBISHI ELECT CORP,LSI,RES & DEV LAB,ITAMI,HYOGO 664,JAPAN

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1982年 / 41卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1063/1.93576

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：524 / 526

页数：3

相关论文

共 6 条

[1] AKASAKA Y, 1981, SOLID STATE TECHNOL, V24, P88
[2] MICROSTRAIN IN LASER-CRYSTALLIZED SILICON ISLANDS ON FUSED-SILICA
LYON, SA
NEMANICH, RJ
JOHNSON, NM
BIEGELSEN, DK
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1982, 40 (04) : 316 - 318
[3] MORHANGE JF, 1978, AIP C P BOSTON, V50, P429
[4] RAMAN-SCATTERING STUDY OF ION-IMPLANTED AND CW-LASER ANNEALED POLYCRYSTALLINE SILICON
NAKASHIMA, S
OIMA, S
MITSUISHI, A
NISHIMURA, T
FUKUMOTO, T
AKASAKA, Y
[J]. SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1981, 40 (07) : 765 - 768
[5] NISHIMURA T, 1981, JPN J APPL PHYS S211, V21, P169
[6] ROSASCO GJ, 1981, ADV INFRARED RAMAN S, V8, P223