EPITAXIAL GROWTH OF SILICON CARBIDE BY THERMAL REDUCTION TECHNIQUE

被引：38

作者：

CAMPBELL, RB

CHU, TL

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1966年 / 113卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2424128

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：825 / &

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