EPITAXIAL-GROWTH OF LANTHANIDE TRIFLUORIDES BY MBE

被引：35

作者：

SINHAROY, S

HOFFMAN, RA

RIEGER, JH

TAKEI, WJ

FARROW, RFC

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1985年 / 3卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583124

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：722 / 723

页数：2

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共 4 条

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