CURRENT TRANSPORT IN AL/INALAS/INGAAS HETEROSTRUCTURES

被引：18

作者：

MORGAN, DV ^{[1
]}

BOARD, K ^{[1
]}

WOOD, CEC ^{[1
]}

EASTMAN, LF ^{[1
]}

机构：

[1] CORNELL UNIV,FAC RESOURCE SUBMICRON STRUCT,ITHACA,NY 14853

来源：

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH | 1982年 / 72卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1002/pssa.2210720125

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：251 / 260

页数：10

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共 5 条

[1] BARNARD J, 1980, IEEE ELECTRON DEVICE, V1, P154
[2] NORMALIZED THERMIONIC-FIELD (T-F) EMISSION IN METAL-SEMICONDUCTOR (SCHOTTKY) BARRIERS
CROWELL, CR
RIDEOUT, VL
[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1969, 12 (02) : 89 - &
[3] MORGAN DV, 1981, P I ELECTR ENG, V128, P141
[4] FIELD AND THERMIONIC-FIELD EMISSION IN SCHOTTKY BARRIERS
PADOVANI, FA
STRATTON, R
[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1966, 9 (07) : 695 - &
[5] VANDERZIEL A, 1968, SOLID STATE ELECTRON